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MRF8P20161HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
31 3932 36 37 3834
Pin, INPUT POWER (dBm)
VDD
=28Vdc, IDQA
= 550 mA, Pulsed CW, 10
μsec(on), 10% Duty Cycle
52
50
48
35
53
51
45
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V
49
54
56
33
30
29
55
47
46
28
Ideal
Actual
1880 MHz
1990 MHz
1930 MHz
2025 MHz
1880 MHz
1990 MHz
2025 MHz
1930 MHz
f
(MHz)
P1dB
P3dB
Watts
dBm
Watts
dBm
1880
102
50.1
126
51.0
1930
108
50.3
130
51.1
1990
105
50.2
129
51.1
2025
105
50.2
124
50.9
Test Impedances per Compression Level
f
(MHz)
Zsource
?
Zload
?
1880
P1dB
8.74 -- j9.81
2.08 -- j5.64
1930
P1dB
13.6 -- j9.01
2.29 -- j5.66
1990
P1dB
17.6 + j0.07
1.52 -- j5.96
2025
P1dB
14.6 + j4.42
1.75 -- j5.54
Figure 13. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V
NOTE: Measurement made on the Class AB, carrier side of the device.
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